Схема включения варикапов

Тиристор предназначен для бесконтактной коммутации (включения и выключения) электрических цепей. Изменяя величину обратного напряжения можно регулировать емкость варикапа и, следовательно, резонансную частоту контура. Целью, поставленной в данной главе, является анализ на основе рядов Вольтерра модели НВТ, описывающей формирование нелинейных эффектов третьего порядка в МШУ, и использование полученных результатов для оптимизации режима работы транзистора в помеховой обстановке. Коэффициент перекрытия по ёмкости — отношение ёмкостей при двух заданных значениях обратного напряжения на варикапе. Особый интерес данные исследования представляют для разработчиков радиоприемных устройств (РПУ) систем радиосвязи как гражданского, так и военного назначения, приемо-передающих комплексов, работающих в сложной помеховой обстановке. Это обуславливает высокочастотные свойства НВТ — высокое значения максимальной частоты усиления мощности /тах.

Для получения характеристик блокирования и компрессии МШУ моделировались и измерялись коэффициенты блокирования и компрессии в зависимости от мощности помехи и режима транзистора по постоянному току. Для получения характеристик ЭМС МШУ, смесителей, перестраиваемых фильтров необходимы измерения параметров в достаточно большом диапазоне частот, мощностей сигналов и помех, при различных режимах элементов по постоянному току. Также был рассмотрен вариант двойного балансного диодного смесителя, в каждом плече которого установлено по два диода последовательно. Отметим, что барьерная ёмкость есть у всех полупроводниковых диодов, и она уменьшается по мере увеличения обратного напряжения на диоде. Но вот у варикапов эта ёмкость может меняться в достаточно широких пределах, в 3 – 5 раз и более.
Первоначально для снижения уровня пульсаций напряжения, присутствующих на источнике питания радиоприемного устройства, по цепям питания гетеродина ставились фильтрующие RC цепочки. Другой ограничивающий фактор управляемого снижения ёмкости — электрический лавинный пробой обеднённого слоя. Поэтому для гетеродинного контура можно использовать варикап с меньшим перекрытием. Его емкость меняется в широких пределах, а ее значение определяют из выражения где — емкость при нулевом напряжении на диоде; — значение контактного потенциала; — приложенное обратное напряжение; для резких переходов и для плавных переходов. Изменяя величину обратного напряжения Uобр., можно регулировать емкость варикапа, а следовательно и менять резонансную частоту контура.

Похожие записи: